商品の詳細:
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製品名: | mosfet 力トランジスター | VDSS: | 6.0 A |
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モデル番号: | 8205A | アプリケーション: | 力管理 |
フィーチャー: | 低いゲート充満 | 力 Mosfet のトランジスター: | SOT-23-6Lはプラスチック内部に閉じ込めます |
ハイライト: | nチャネルmosfetのトランジスター,高い流れmosfetスイッチ |
8205A SOT-23-6LはMOSFETS二重NチャネルMOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます
概説
VDSS= V ID= 6.0 A z 20 |
G1 6 |
D1、D2 5 |
G2 4 |
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z |
RDS () <> 25m GS |
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z |
RDS () <> 32m GS |
1 2 3 S1 D1、D2 S2 |
特徴
z TrenchFET力MOSFET
z優秀なRDS()
zの低いゲート充満
zの高い発電および現在の渡す機能
zの表面の台紙のパッケージ
適用
z電池の保護
zの負荷スイッチ
z力管理
変数記号のテスト条件の最低のTypの最高の単位 |
静的なCHARACTERICTISCS |
下水管源の絶縁破壊電圧V (BR) DSS VGS = 0V、ID =250µA 19 V |
ゼロ ゲートの電圧下水管現在のIDSS VDS =18VのVGS = 0V 1 µA |
ゲート ボディ漏出現在のIGSS VGS =±10V、VDS = 0V ±100 nA |
境界の電圧(ノート3) VGS (Th) VDS =VGS、ID =250µA 0.5 0.9Vをゲートで制御して下さい |
tranconductance (ノート3)のgFS VDS =5V、ID =4.5A 10 Sを進めて下さい |
ダイオード前方電圧(ノート3) VSD IS=1.25A、VGS = 0V 1.2 V |
動的CHARACTERICTISCS (note4) |
入力キャパシタンスCiss 800 pF |
出力キャパシタンスCoss VDS =8V、VGS =0V、f =1MHz 155 pF |
逆の移動キャパシタンスCrss 125 pF |
切換えCHARACTERICTISCS (ノート4) |
遅れ時間td回転() 18 ns |
上昇時間tr VDD=10V、VGS=4V、5 ns回転 |
回転遅れ時間td () ID=1A、RGEN=10Ω 43 ns |
回転落下時間tf 20 ns |
総ゲート充満Qg 11 NC |
ゲート源充満Qgs VDS =10V、VGS =4.5V、ID=4A 2.3 NC |
ゲート下水管充満Qgd 2.5 NC |
注:
1. 反復的な評価:最高の接合部温度によって限られるPluseの幅
2. FR4板に、t≤10秒取付けられる表面。
3. 脈拍テスト:脈拍width≤300μsの義務cycle≤2%。
4. 意図的に、ない生産に応じて保証される。
SOT-23-6Lのパッケージの輪郭次元
コンタクトパーソン: David