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商品の詳細:
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| 製品名: | mosfet 力トランジスター | タイプ: | Mosfet のトランジスター |
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| モデル番号: | 10G03S | 接合部温度:: | 150 ℃ |
| 応用分野: | 力の切換えの適用 | 特長: | 無鉛プロダクトは得られます |
| ハイライト: | nチャネルmosfetのトランジスター,高圧トランジスター |
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10G03S 30V N+Pチャネルの強化モードMOSFET
記述
10G03S使用高度の堀
優秀なRDS（）および低いゲート充満を提供する技術。
補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかもしれません
レベルは他のホストのための高い側面スイッチを、移し
適用
概要の特徴
Nチャネル
VDS = 30V、ID =10A
RDS（）< 16m=""> GS=10V
Pチャネル
VDS = -30V、ID = -9A
RDS（）< 37m=""> GS=-10V
高い発電および現在の渡す機能
無鉛プロダクトは得られます
表面の台紙のパッケージ
適用
●力の切換えの適用
●の懸命に転換された高周波回路
●の無停電電源装置
パッケージの印および発注情報
コンタクトパーソン: David
